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闪存市场的刀光剑影Intel镁光发起反击2xnm制程NAND芯片产品行将投入试制

发布时间:2020-03-23 11:57:38 阅读: 来源:酒柜厂家

在本月22日召开的一次电话会议上,镁光公司宣称他们很快便会试制出2x nm制程NAND闪存芯片产品,并对其进行取样测试。虽然镁光没有泄漏这类2xnm制程的具体规格数字,但外界认为他们极可能会于明年初公布有关的细节信 息。这样,镁光及其NAND技术的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用这类新制程技术,甩开对手三星和东芝,重新回到领先全球NAND制作技术的宝 座上。目前Intel和镁光两家公司合资创建有一家专门负责NAND业务的IM闪存技术公司。

除制造闪存芯片以外,Intel和镁光还有出售基于NAND闪存芯片的SSD硬盘产品,其中Intel的SSD硬盘业务状态可谓相当不错,而镁光则在这方面进行得不太顺利。Intel-镁光同盟曾一度在NAND制程比赛中占据领先地位,他们抢先推出了基于34nm制程的NAND闪存芯片产品。不过今年4月份,东芝公司凭仗自己的32nm制程产品超出了Intel-镁光同盟。今年八月份,NAND业界则又开始了新一轮的3位元NAND技术比赛,Intel-镁光同盟抢先宣布其34nm制程三位元NAND芯片。不过本月早些时候,韩国三星电子公司则宣布开始量产30nm制程三位元MLC NAND芯片产品,这类芯片产品的存储密度可达32Gb(内部存储单元共4G个,每一个存储单元可寄存3位数据).现在Intel-镁光同盟开始推动NAND闪存的2xnm制程,不过根据iSuppli的统计数字表明:三星在NAND市场上的市占率仍为最高,而东芝则正在威逼其位置,至于Intel则依然在市占率方面排在二者的后面。CNBeta编译原文:eetimes

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